- La NAND de 321 capas de SK Hynix se dirige a las necesidades de almacenamiento de datos impulsadas por IA
- La memoria flash NAND de 321 capas mejora la velocidad de transferencia de datos en un 12%
- Los requisitos de almacenamiento de IA están impulsando la innovación en soluciones NAND de alta capacidad
Samsung y SK Hynix continuaron su batalla cara a cara en el mercado de memorias flash NAND y este último lideró con un nuevo lanzamiento.
SK Hynix, el segundo mayor fabricante de chips de memoria del mundo, se convirtió recientemente en el primero en producir en masa memoria flash NAND (TLC) de triple celda con más de 300 capas.
El recientemente anunciado flash TLC 4D NAND de 321 capas y 1 TB de la compañía está destinado a revolucionar la industria del almacenamiento de datos, allanando el camino para unidades de estado sólido (SSD) más asequibles con capacidades superiores de 100 TB. .
Capa SK Hynix 321 NAND
La industria NAND está compitiendo para superar los límites de la tecnología de almacenamiento de datos y el logro de SK Hynix es un hito importante.
Después de lanzar su memoria flash NAND de 238 capas el año pasado, la última memoria flash NAND de 321 capas de SK Hynix establece un nuevo estándar en la industria. La compañía planea entregar estos chips a los clientes a partir de la primera mitad de 2025, apuntando al floreciente mercado de la inteligencia artificial (IA), que requiere soluciones de almacenamiento eficientes y energéticamente eficientes.
La NAND de 321 capas fue posible gracias a la tecnología de proceso “Three Plugs” de SK Hynix, que implica la conexión eléctrica de tres enchufes mediante una fase de seguimiento optimizada, lo que mejora significativamente la velocidad, la eficiencia energética y el rendimiento general de los chips.
SK Hynix también desarrolló un material de baja tensión e introdujo una tecnología que corrige automáticamente la alineación entre los tapones para agilizar aún más el proceso de fabricación.
El producto de 321 capas ofrece un aumento del 12 % en la velocidad de transferencia de datos y una mejora del 13 % en el rendimiento de lectura en comparación con la NAND anterior de 238 capas. Además, reduce el consumo de energía en más de un 10%. Con una mejora del 59 % en la productividad, la nueva NAND de SK Hynix ofrece una solución de almacenamiento mejorada para centros de datos de IA y aplicaciones de IA en dispositivos.
Si bien SK Hynix ha logrado esta hazaña histórica, su principal competidor, Samsung, no se queda atrás. Según se informa, Samsung está trabajando en un chip flash NAND de 400 capas, que planea lanzar al mercado en 2026.
La hoja de ruta de la compañía incluye el desarrollo de la tecnología NAND de enlace vertical (BV NAND), que permitirá una densidad de almacenamiento aún mayor y una acumulación mínima de calor. El objetivo a largo plazo de Samsung es introducir chips NAND con más de 1.000 capas para 2030, rompiendo potencialmente la barrera de almacenamiento de 200 TB para los SSD con tecnología de IA.
“SK Hynix está en camino de convertirse en un proveedor de memoria Al añadiendo una cartera completa en el espacio NAND de mayor rendimiento además del negocio DRAM liderado por HBM”, afirmó Yongdal Choi, director de desarrollo NAND de SK. Hynix.
a través de KEDGlobal
